N通道_型号AOWF9N70
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AOWF9N70采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低RDS（on），Ciss和Crs以及保证雪崩能力，这些部件可以快速采用进入新的和现有的离线供电设计。
参数：

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：700V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1630pF @ 25V

功率 - 最大值：28W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：TO-262F

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