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AOS场效应双通道_AO4612


AO4612采用先进的沟道技术提供优良的rds(开)和低门电荷。这个互补mosfet可用于h桥,逆变器和其他应用。

     AOS场效应管产品参数

  • 数据列表 AO4612;                         标准包装  3,000
  • 包装  标准卷带                              零件状态 有源
  • 类别 分立半导体产品                     FET 类型 N 和 P 沟道
  • FET 功能 逻辑电平门                    漏源电压(Vdss) 60V
  • 功率 - 最大值 2W                          工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型 表面贴装型供                 应商器件封装 8-SOIC
  • 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A,3.2A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 56 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 30V
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