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AOS场效应管_P_AO4421



 AO4421场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

AO4421场效应管参数:

 
    FET 类型:P 沟道
 
    技术:MOSFET(金属氧化物)
 
    漏源电压(Vdss):60V
 
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Ta)
 
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
 
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 6.2A,10V
 
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
 
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):55nC @ 10V
 
    Vgs(最大值):±20V
 
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2900pF @ 30V
 
    FET 功能:-
 
    功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
 
    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
 
    安装类型:表面贴装
 
    供应商器件封装:8-SOIC
 
    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 

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