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AOSmos管_AO4614B


AO4614B采用先进的沟槽技术mosfet提供出色的rds(on)和低栅极充电。可以使用互补mosfet在h桥、逆变器等应用中。

    AOS场效应管产品参数:

  • 功率 - 最大值 2W                         工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型 表面贴装型                   供应商器件封装 8-SO
  • 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 数据列表 AO4614B                      标准包装  3,000
  • 包装  标准卷带                            零件状态 有源
  • 类别 分立半导体产品                    FET 类型 N 和 P 沟道
  • FET 功能 逻辑电平门                   漏源电压(Vdss) 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A,5A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 20V
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