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AOS_AO34xx系列N沟道和P沟道MOSFET管

AOS的AO34xx系列沟槽技术增强型场效应晶体管




 
AOS的AO34xx 系列 N 沟道和 P 沟道 MOSFET的图片Alpha and Omega Semiconductor AO34xx 系列 MOSFET 采用先进的沟槽技术,可提供低至 22 mΩ 的出色 RDS(ON),以及低至 3.2 nC(4.5 V 下)的栅极电荷。AO34xx 系列在 1.5 V 至 12 V 的宽栅极驱动范围内工作,同时在 25℃ 下提供高达 6.5 A 的连续漏极电流。这些 MOSFET 具有 -55°C 至 +150°C 的非常宽的结温和存储温度范围,最大功耗高达 1.5 W,非常适合负载开关和 PWM 应用。AO34xx 系列采用薄型 SOT-23 封装。
 

特性:
 

  • 1.5 V 至 12 V 宽栅极驱动范围
  • +25°C 下的连续漏极电流高达 6.5 A
  • 结点和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C
  • 最大功耗高达 1.5 W
  • 采用 SOT-23 封装
     

应用:
 

  • 负载切换
  • PWM 应用


以上为AO34xx系列 64个型号的产品简述
 

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