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AO3162采用先进的高压制造而成。设计用于提供高水平的MOSFET工艺通用交直流系统的性能和鲁棒性应用。
通过提供低RDS（开）、CIS和CRS以及保证雪崩能力此设备可以快速应用于新的和现有的离线电源设计。
产品详情
标准包装 3,000
包装 标准卷带
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 34mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.1V @ 8µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） .15nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6pF @ 25V
功率耗散（最大值） 1.39W（Ta）
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装 标准卷带
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 34mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.1V @ 8µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） .15nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6pF @ 25V
功率耗散（最大值） 1.39W（Ta）
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
