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AOS场效应管MOSFET

N 沟道AOD4184A

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 13A(Ta),50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.

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N 沟道AON7534

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 20A(Ta),30A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.

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N 沟道AO3442

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同

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P 沟道AO6409

FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 5.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V 不同

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P 沟道AO3413

FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V 不同

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N 沟道AO3402

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V 不同

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