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AOS场效应管MOSFET

N 沟道AOD2810

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 80V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 10.5A(Ta),46A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

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N沟道AOT20S60L

FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 600V 电流-连续漏极(Id)(25C时) 20A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 不同Id,Vgs时的

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N 沟道AO4468

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 10.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同

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N 沟道AOD482

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 5A(Ta),32A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.

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N 沟道AON6262E

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同

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N 沟道AON7534

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 20A(Ta),30A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.

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