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AOS场效应管MOSFET

AOS场效应管_P沟道AO3435

AOS MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23 AOSMOS管产品参数: FET 类型 P 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 2.9A(Ta) 驱动电

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AOSmos管N通道AOT7N60

AOS万代MOS管特点: AOT7N60和AOTF7N60是用一种先进的高压mosfet工艺旨在提供高水平的性能和在流行的交直流应用中的稳健性。 通过提供低rds(on)、cis和crs以及

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N通道_型号AOWF9N70

AOWF9N70采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低RDS(on),Ciss和Crs以及保证雪崩能力,这些部件可以快

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N沟道_型号AO3162

AO3162采用先进的高压制造而成。设计用于提供高水平的MOSFET工艺通用交直流系统的性能和鲁棒性应用。 通过提供低RDS(开)、CIS和CRS以及保证雪崩能力此设

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N 沟道AON6240

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 27A(Ta),85A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.

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双通道AOD609

FET 类型 N 和 P 沟道,共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 12A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 12A,10

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