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| FET 类型 N 和 P 沟道，共漏 | FET 功能 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） 40V | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10.8nC @ 10V | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 650pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 2W | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 表面贴装 | 封装/外壳 TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商器件封装 TO-252-4L | 数量： 5000 |
| 包装： 2500PCS/包 | 备注： 专业AOS品牌，大量现货优势库存 |
