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| FET 类型 N 沟道 | 技术 MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） 80V | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.5A（Ta），46A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V | 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） ±25V | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1871pF @ 40V |
| 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），100W（Tc） | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 表面贴装 | 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
