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| FET类型 N沟道 | 技术 MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） 600V | 电流-连续漏极（Id）（25°C时） 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V | 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 199毫欧@10A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4.1V@250µA | 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 19.8nC@10V |
| Vgs（最大值） ±30V | 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 1038pF@100V |
| 功率耗散（最大值） 266W（Tc） | 工作温度 -55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 通孔 | 供应商器件封装 TO-220 |
| 封装/外壳 TO-220-3 | 标准包装 1,000 |
| 包装 管件 | 零件状态 在售 |
