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FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1037pF @ 15V
FET 功能 - 功率耗散(最大值) 3W(Ta),23W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-DFN(3x3) 封装/外壳 8-PowerVDFN
数量:  70000      备注:  Original 全新原装

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