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AOS场效应管_N_AO4302

ao4302结合了先进的沟道mos低电阻封装技术极低的rds(开)。这个装置是负荷开关的理想选择以及电池保护应用。


产品参数:


标准包装  3,000                        包装  标准卷带  
 
类别 分立半导体产品                 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
 
FET 类型 N 通道                      技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V            Vgs(最大值) ±20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3470pF @ 15V

功率耗散(最大值) 3.6W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)              安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-SOIC                          封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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