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ao4302结合了先进的沟道mos低电阻封装技术极低的rds（开）。这个装置是负荷开关的理想选择以及电池保护应用。
漏源电压（Vdss） 30V Vgs（最大值） ±20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3470pF @ 15V
功率耗散（最大值） 3.6W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
产品参数：
标准包装 3,000 包装 标准卷带
类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V Vgs（最大值） ±20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3470pF @ 15V
功率耗散（最大值） 3.6W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
