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联系我们AOS MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
AOSMOS管产品参数：
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 745pF @ 10V
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3L
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装 标准卷带
标准包装 3,000
包装 标准卷带
