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联系我们日前，AOS万国半导体发布的AOTF190A60L是第一款基于高压新平台aMOS5 TM的产品，这款器件能够为客户提供高效而易于实现的解决方案，致力于优化服务器电源，高端PC电源，充电桩和其他高性能的电源应用。相比前一代的高压平台，aMOS5 TM平台单位面积的‟RDS x A”减少了30%，大幅减少了应用中的导通损耗的同时，也使得高压MOS能够实现更新，更小，更高效的封装，从而助力超高功率密度的电源设计。
另外，相比于其他竞争对手aMOS5 TM显著的改善了开关性能，AOTF190A60L具有超低的Qg，从而缩短了开关平台时间，使得开关损耗大幅降低。这款产品的封装是TO-220塑封，最大导通内阻是190mohm。
通过优化寄生参数，aMOS5 TM实现了优异的EMI特性，以下是详细的波形对比图，在器件关断时，抑制了反向恢复电流（Irr）使得VDS上升趋于平滑。
高压MOS管的市场总监Simon Lu说“开关电源是现代IT设备中的核心动力，全球电力能源的巨大消耗使得人们去追求更高效的电源转换方式，在服务器和通信设备中， 高效的电源转换拓扑例如LLC已经成为标准的AC-DC解决方案。MOS管的性能对于实现高效的电源转换非常重要, 我们非常高兴的宣布基于我们最新的高压MOS平台aMOS5 TM的第一款产品AOTF190A60L正式发布，这个新的平台为PFC和LLC的应用提供了高效的解决方案”。
