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联系我们2016年5月31日，万国半导体（AOS）推出了8款用于便携式电子产品快速充电器的60V耐压MOSFET。新产品为n沟道型，还可用作反激式转换器的同步整流用MOSFET。采用AOS自主开发的“沟槽型功率AlphaSGT技术”制造。
AOS公司介绍称，“目前，便携终端用充电器都要求提高输出功率。业界通过提高输出电压和增加输出电流的方法应对”。此次的MOSFET面向后者——以低电压大电流充电的方法进行了优化。也就是说，削减了栅极驱动电压较低时的导通电阻。新产品各型号的导通电阻（栅-源间电压为+4.5V时）只有6.3m～13.5mΩ（最大值）。封装有8端子SOP、DFN5×6、DFN3×3三种。
8款产品的特性如下：
“AO4268”为8端子SOP封装品，导通电阻为6.5mΩ（栅-源间电压为+4.5V时的最大值，下同），输入电容为2500pF，输出电容为670pF，反馈电容为65pF；
“AO6262E”为8端子SOP封装品，导通电阻为8.5mΩ，输入电容为1650pF，输出电容为520pF，反馈电容为52pF；
“AO6264E”为8端子SOP封装品，导通电阻为13.5mΩ，输入电容为1100pF，输出电容为300pF，反馈电容为28pF；
“AO6268”为DFN5×6封装品，导通电阻为6.3mΩ，输入电容为2520pF，输出电容为670pF，反馈电容为65pF；
“AO6262E”为DFN5×6封装品，导通电阻为8.5mΩ，输入电容为1650pF，输出电容为520pF，反馈电容为52pF；
“AO6264E”为DFN5×6封装品，导通电阻为13.3mΩ，输入电容为1100pF，输出电容为300pF，反馈电容为28pF；
“AO7262E”为DFN3×3封装品，导通电阻为8.5mΩ，输入电容为1652pF，输出电容为520pF，反馈电容为52pF；
“AO7264E”为DFN3×3封装品，导通电阻为13.3mΩ，输入电容为1100pF，输出电容为300pF，反馈电容为28pF。
