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联系我们AOS万国半导体推出一款新的P沟道MOS管--AONR21357，通过改良的P沟道制程实现了更低的损耗和更可靠的启动，标准的DFN 3*3 封装，BVDss=-30V，VGS=-25V，Rdson=12.3mohm@VGS=-4.5V，是用于笔记本电源适配器和电池的负载开关的理想产品。
USB Typc-C已经成为PC和移动电话的主流接口，于是，USB-PD标准因覆盖了多种便携设备的不同的电力传输的需求得以广泛实施。负载开关电路用于控制电源总线的开/关，AONR21357用于负载开关适用于宽范围输入输出电压，并且其强壮和高可靠性适用于各种工作条件。AOS改良的P沟道技术使得产品足够强壮以应对在线性模式下工作，超低的米勒平台（<3.5V）可以覆盖主流的USB-PD电压。
AOS低压MOSFET产品总监Rack Tsai 说：“AONR21357 完全满足-30VDS/-25VGS这个规格的P沟道MOS管的应用需求，优异的性能例如超低米勒平台和低损耗的开关特性确保其可靠性和安全的工作区域，使得研发工程师能够利用P沟道MOS管实现简单的设计”。
