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AOS适用于通信电源的AON6290功率MOSET

功率半导体供应商AOS万国半导体推出100V功率MOSFET产品AON6290。AON6290作为AOS AlphaMOS™ (MOS™)中压系列旗舰产品,为追求极致效率的开关电源提供了优秀的解决方案。AON6290拥有业内最低的导通内阻以及优秀开关性能,可广泛应用于通信及工业电源交-直流转换器副边同步整流,直流-直流转换器原边开关管,以及通信系统中的负载点模块(POL)。

AON6290功率MOSET

AON6290实现极低导通内阻的同时还保证了足够高的开关频率。导通内阻比上一代产品减小了68%,比市场上最高规格相同封装的100V MOSFET内阻减小了5%。除此之外,用于衡量开关性能的几个指标(数值越低表示开关性能越好),RDS(ON) * Qg, RDS(ON) * CISS以及 RDS(ON) * COSS, AON6290比竞争对手的顶级产品分别低了5%,3%,和50%.通常工程师在选用低导通内阻器件时需要综合考虑器件的开关参数,因为内阻越低的开关性能越差,有时候内阻降低带来的效率提升甚至不能弥补开关损耗增加带来的损失。AON6290由于其优异的开关性能,可以让工程师轻松降低导通损耗的同时无需付出开关损耗增加的代价。AON6290采用DFN5x6封装,符合绿色环保产品相关规定,且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。

“只有同时优化开关性能和导通性能,才能获得最高的系统效率。” AOS产品线资深经理Stephen Chang表示,“AON6290依靠业内领先的低内阻、低栅极电荷、低输入电容和低输出电容,为开关电源设计提供了最佳的导通性能和开关性能。”

AON6290 技术参数:

100V DFN5x6封装N沟道MOSFET

导通内阻典型值 = 3.8mOhms (业内最低)

10V驱动时,导通内阻最大值 < 4.6 mOhms

输出电容典型值 415 pF

栅极电荷典型值 = 63 nC (10V驱动)

RDS(ON) * CISS FOM参数业内最低

RDS(ON) * COSS FOM参数业内最低

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