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联系我们万国半导体（AOS）推出业界第一个单N沟道45V超低Rdson及耐抗雪崩AON6152系列MOSFET，在10V Vgs 时Rdson可达到超低1.15mohm。
AON6152提供了极高的电源转换效率及具有高驱动能力来降低开关功率损耗的最优性能，拓宽了AOS的中压产品组合的应用范围，包括AC/DC和DC/DC变换器副边同步整流，以及工业和电机驱动的应用。
AON6152使用了AOS先进的工艺技术，作为AC/DC或DC/DC变换器的副边同步整流，可显著降低功耗，并最大限度地提高转换效率。AON6152漏源击穿电压（BVDSS）达到45V，且具有超低的Rdson 1.15mohm。AON6152使设计工程师能够获得最高的效率，同时又满足可靠的电压余量优化设计的要求。AON6152 封装为DFN5x6及100%的RG和UIS雪崩测试。
AOS的MOSFET产品线市场总监冯雷说：“AON6152是一个新的里程碑，该产品不仅简单易用且能达到效率更高，更好的热性能，以及更高的功率密度的性能。该产品可提供电源设计师设计更低温度及提高系统整体可靠性产品的解决方案。”
