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联系我们日前，AOS万国半导体发布了新产品AOC3860，为一颗12V耐压共漏的双N沟道MOSFET，驱动电压在4.5V的情况下Rss典型值为2.15mOhm。AOC3860进一步减小保护模块MOSFET源源电阻，这正是当今智能手机制造商所需以更高的充电电流实现更快的电池充电的关键因素。
移动互联网的发展，大数据时代的到来，智能机得到了广范应用，随之而来的是智能机的容量增加，这就对更快的充电提出了相应需求。如何更进一步的减小保护模块MOSFET电源电阻，是智能手机制造商以更高的充电电流实现更快的电池充电的关键因素。随着大型应用程序的使用和待机时间的缩短，充电已成为最新对智能手机需求的考虑关键点。现在一般采用高输出电压或输出电流等方式来实现更快的充电速度，如现在充电功率己从传统的5W增加到15W或25W，但对于电池组来看都是需要更高的充电电流。而MOSFET是电池充电电路的关键部分，其需要以最小的功率损耗和温度升高提供可靠的保护。AOC3860是AlphaDFN™系列（这是一个在电池保护模块市场充分验证的产品系列）中最新，具有最佳的Rss和最小的安装尺寸的产品。典型的RSS在4.5V电压2.15mohm，与3.8V电压2.25mohm。进一步将芯片尺寸减小到3.05x1.77mm。
AOS的MOSFET资深市场总监冯雷说：“AOC3860是我们不断提高技术工艺和产品性能方面做出努力的一个很好的案例，AOC3860同我们以前发布的产品相比，降低了10% Rss的同时减小了14% 的尺寸。这些都充分体现了我们对材料以及设备设计，生产管控和封装技术的改进和提高。电池设计工程师将会发现AOC3860非常适合大电流需求的电池”。
