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AOS MOS管的7个重要参数


AOS MOS管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。
在实际应用中,NMOS的Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
 

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 场效应管测量方法
单相双极驱动电机驱动器,可轻松实现直接PWM电机驱动系统,效率极高。内置HB 低速度设定引脚(启动时允许全速模式运行) 移除热敏电阻时以全速模式运行。内置锁定保护和自动恢复电路 FG(速度检测)和RD(锁定检测)输出内置热关机电路应用终端产品个人计算机电源系统。单极驱动无刷电机驱动器,具有宽泛的可用电压范围和少的所需外部元件。还支持形成电机锁定保护和自动恢复电路。霍尔元件可以直接连接。 内置旋转检测功能,驱动时输出低电平停止时。
内置电机锁保护和自动恢复功能 热关机功能。由于内置电路可控制电流,因此有助于降低成本和PCB尺寸。它还可以通过几个内置保护功能为应用程序的安全设计做出贡献。特性优势 内置短路保护电路 短暂保护 包含异常情况警告输出引脚安全设计。一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装。

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