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AOS半导体有限公司(纳斯达克:AOSL)，一家设计、开发和全球范围内的功率半导体和功率集成电路的供应商，今天宣布发布新的1200V碳化硅(SiC) aSiC MOSFET技术平台。特别针对工业和汽车市场，这一下一代技术将使客户实现更高的效率和功率密度相比，现有的硅解决方案。
aSiC技术通过低栅电阻(RG)设计，结合低导通电阻(rpm . on)随温度变化的增加，最大限度地降低了交流和直流功率损失。aSiC技术可以在各种应用开关频率和温度范围内实现最高效率。这种更高的效率可以显著降低许多工业应用的系统成本和总材料成本，包括太阳能逆变器、UPS系统、电动汽车逆变器和充电系统。这个新平台的第一个产品版本是AOK065V120X2，一个1200V 65m SiC MOSFET，采用TO-2473L封装。为了便于使用，AOK065V120X2被设计成使用a-5V/+15V栅极驱动器驱动，允许与现有的高压IGBT和SiC栅极驱动器最广泛的兼容性。
通过优化的系统设计，单极驱动的操作也是可能的。aSiC平台的另一个优点是强大的UIS能力、增强的短路性能和175℃的最高工作温度。“经过多年的开发工作，我们很高兴能够将新一代SiC MOSFET技术添加到Alpha和Omega现有的一流的Si MOSFET和IGBT产品组合中。”除了之前发布的650V GaN平台之外，aSiC设备进一步拓展了我们对数十亿美元宽带隙功率半导体市场的定位。我们致力于为每个客户的需求提供最优的技术解决方案，”AOS宽带隙产品高级总监David Sheridan说
aSiC MOSFET产品组合将在今年晚些时候扩展，包括更广泛的on-resistance和具有完整AEC-Q101资格的附加包选项。
定价和可用性作为第一波发布的一部分，AOK065V120X2 (1200V 65mOhm to 247- 3l)立即可用于批量生产。请与当地销售代表联系定价。
