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电气特性
AOS场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：
贴片场效应管
1：AOS场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。
2：AOS场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。
3：AOS场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4：AOS场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5：一般AOS场效应管功率较小，晶体管功率较大。
AOS场效应管产品特性
(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。
(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。
(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。
AOS场效应管参数符号
| Cds---漏-源电容 | Cdu---漏-衬底电容 | Cgd---栅-漏电容 | Cgs---栅-源电容 | Ciss---栅短路共源输入电容 | Coss---栅短路共源输出电容 |
| Crss---栅短路共源反向传输电容 | D---占空比（占空系数，外电路参数） | di/dt---电流上升率（外电路参数） | dv/dt---电压上升率（外电路参数） | ID---漏极电流（直流） | IDM---漏极脉冲电流 |
| ID(on)---通态漏极电流 | IDQ---静态漏极电流（射频功率管） | IDS---漏源电流 | IDSM---最大漏源电流 | IDSS---栅-源短路时，漏极电流 | IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） |
| IG---栅极电流（直流） | IGF---正向栅电流 | IGR---反向栅电流 | IGDO---源极开路时，截止栅电流 | IGSO---漏极开路时，截止栅电流 | IGM---栅极脉冲电流 |
| IGP---栅极峰值电流 | IF---二极管正向电流 | IGSS---漏极短路时截止栅电流 | IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 | IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 | Iu---衬底电流 |
| Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） | gfs---正向跨导 | Gp---功率增益 | Gps---共源极中和高频功率增益 | GpG---共栅极中和高频功率增益 | GPD---共漏极中和高频功率增益 |
| ggd---栅漏电导 | gds---漏源电导 | K---失调电压温度系数 | Ku---传输系数 | L---负载电感（外电路参数） | LD---漏极电感 |
| Ls---源极电感 | rDS---漏源电阻 | rDS(on)---漏源通态电阻 | rDS(of)---漏源断态电阻 | rGD---栅漏电阻 | rGS---栅源电阻 |
| Rg---栅极外接电阻（外电路参数） | RL---负载电阻（外电路参数） | R(th)jc---结壳热阻 | R(th)ja---结环热阻 | PD---漏极耗散功率 | PDM---漏极最大允许耗散功率 |
| PIN--输入功率 | POUT---输出功率 | PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） | to(on)---开通延迟时间 | td(off)---关断延迟时间 | ti---上升时间 |
| ton---开通时间 | toff---关断时间 | tf---下降时间 | trr---反向恢复时间 | Tj---结温 | Tjm---最大允许结温 |
| Ta---环境温度 | Tc---管壳温度 | Tstg---贮成温度 | VDS---漏源电压（直流） | VGS---栅源电压（直流） | VGSF--正向栅源电压（直流） |
| VGSR---反向栅源电压（直流） | VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） | VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） | Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） | VGS(th)---开启电压或阀电压 | V（BR）DSS---漏源击穿电压 |
| V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压 | VDS(on)---漏源通态电压 | VDS(sat)---漏源饱和电压 | VGD---栅漏电压（直流） | Vsu---源衬底电压（直流） | VDu---漏衬底电压（直流） |
| VGu---栅衬底电压（直流） | Zo---驱动源内阻 | η---漏极效率（射频功率管） | Vn---噪声电压 | aID---漏极电流温度系数 | ards---漏源电阻温度系数 |
AOS场效应管应用领域
AOS场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。
AOS场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
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